据韩联社6月22日消息,韩媒预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片,星预下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around(GAA)技术之上。于下三星称,周宣与现有的布量FinFET工艺相比,该技术将使芯片面积减少45%,产纳同时性能提高30%,米芯功耗降低50%。韩媒
今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的星预平泽工厂,三星向其展示了该公司的于下3纳米芯片。
三星与在芯片制造领域保持激烈竞争。周宣全球最大的布量合约芯片制造商台积电表示,它将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。产纳而此前三星表示,米芯其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段,韩媒计划在2025年实现量产。
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韩媒:三星预计将于下周宣布量产3纳米芯片
人参与 | 时间:2025-07-08 07:41:56
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